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热门查询： MMz TC7USB221WBG MN11 ZSH5M TK11233CM TK11233CMI TK11233CMIL EXCML16A270U S-1132B33-M5 DSC20 BZD27C13P-GS NFR21GD1004702L P1005 LEM3225 uPA803 R1180Q151B RN5RZ33A S-818A50AUC DTZTT1 3N1
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FDN335N
 型号：  FDN335N
 标记/丝印/代码/打字：  335
 厂家：  FAIRCHILD
 封装：  SOT-23/SC-59
 批号：  05+
 库存数量：  4223
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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FDN335N 335 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 8V
最大漏极电流Id Drain Current 1.7A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 0.070Ω/Ohm @17.7A,4.5V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 0.4-1.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 500mW/0.5W
Description & Applications N-Channel 2.5V Specified PowerTrench TM MOSFET General Description This N-Channel 2.5V specified MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. ? 1.7 A, 20 V. RDS(ON) = 0.07 ? @ VGS = 4.5 V RDS(ON) = 0.100 ? @ VGS = 2.5 V. ? Low gate charge (3.5nC typical). ? High performance trench technology for extremelyow RDS(ON) High power and current handling capability.
描述与应用 N沟道2.5V指定的PowerTrench TM MOSFET 概述 这N沟道2.5V指定的MOSFET的生产 采用飞兆半导体先进的PowerTrench 过程中，已特别针对减少 通态电阻，但维持低栅极电荷 优越的开关性能。 ?低栅极电荷（3.5nC典型值）。 ?高性能沟道技术为extremelyow RD（ON） 高功率和电流处理力
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型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
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