FDG328P 28 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
-12V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-1.5A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
210m?@ VGS = -2.5V, ID = -1.2A |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-0.6~-1.5V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
750mW/0.75W |
| Description & Applications |
20V N-Channel Power Trench MOSFET General Description This P-Channel 2.5V specified MOSFET is produced in a rugged gate version of Fairchild Semiconductor’s advanced Power Trench process. It has been optimized for power management applications for a wide range of gate drive voltages (2.5V – 12V). Applications ? Load switch ? Power management ? DC/DC converter Features Low gate charge High performance trench technology for extremely low RDS(ON) Compact industry standard SC70-6 surface mount package |
| 描述与应用 |
20V N沟道功率沟槽MOSFET 概述 此P沟道2.5V指定的MOSFET的生产在一个坚固的门版本飞兆半导体先进的功率沟槽过程。它已被优化的栅极驱动电压（2.5V - 12V），适用范围广的电源管理应用。 应用 ?负荷开关 ?电源管理 ?DC/ DC转换器 特点 低栅极电荷 高性能沟道技术极低的RDS（ON） 紧凑型工业标准SC70-6表面贴装封装 |
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