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型号: |
FDG326P |
标记/丝印/代码/打字: |
26 |
厂家: |
FAIRCHILD |
封装: |
SOT-363/SC70-6 |
批号: |
05+ |
库存数量: |
3100 |
所属分类: |
场效应管FET MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
技术文档PDF: |
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FDG326P 26 的参数 |
最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-20V |
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
8V |
最大漏极电流Id
Drain Current |
-1.5A |
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
0.105Ω @-1.5A,-4.5V |
开启电压Vgs(th)
Gate-Source Threshold Voltage |
-0.4--1.5V |
耗散功率Pd
Power Dissipation |
750mW/0.75W |
Description & Applications |
? Low gate charge (3.5nC typical). ? High performance trench technology for extremely low RDS(ON) ? Compact industry standard SC70-6 surface mount package. |
描述与应用 |
?低栅极电荷(3.5nC典型值) ?高性能沟道技术极低的RDS(ON) ?紧凑型工业标准SC70-6表面贴装封装 |
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相关型号列表 |
型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
FDG326P |
26 |
FAIRCHILD |
05+ |
SOT-363/SC70-6 |
3100 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
FDG327N |
27 |
FAIRCHILD |
01+ |
SOT-363/SC70-6/TSSOP6/SC-88 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
FDG328P |
28 |
FAIRCHILD |
0450NOPB |
SOT-363/SC70-6 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
FDG328P |
28 |
FAIRCHILD |
04NOPB |
SOT-363/SC70-6 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
FDG326P |
26 |
FAIRCHILD |
05+ |
SOT-363/SC70-6 |
3000 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
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