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FDC6506P
 型号:  FDC6506P
 标记/丝印/代码/打字:  606
 厂家:  FAIRCHILD
 封装:  SOT-163/SOT23-6/SSOT-6
 批号:  05+
 库存数量:  3200
 所属分类:  场效应管FET
  复合场效应管Complex FET
    MOSFET 双P沟道MOSFET Dual P-Channel
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FDC6506P 606 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage -20V
最大漏极电流Id Drain Current -1.8A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 280m?@ VGS = -4.5V, ID = -1.4A
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage -1~-3V
耗散功率Pd Power Dissipation 960mW/0.96W
Description & Applications Dual P-Channel Logic Level Power Trench MOSFET General Description These P-Channel logic level MOSFETs are produced using Fairchild Semiconductor's advanced Power Trench process that has been especially tailored to minimize on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. These devices have been designed to offer exceptional power dissipation in a very small footprint for applications where the bigger more expensive SO-8 and TSSOP-8 packages are impractical. Applications ? Load switch ? Battery protection ? Power management Features ? Low gate charge ? Fast switching speed. ? High performance trench technology for extremely low RDS(ON) ? Super SOTTM-6 package
描述与应用 双P沟道逻辑电平功率沟槽MOSFET 概述 ???这些P沟道逻辑电平MOSFET采用飞兆半导体先进的功率沟槽进程,已特别是针对减少通态电阻,但维持出色的开关性能低栅极电荷。 ???这些设备已被设计为应用程序提供出色的功率耗散在一个非常小的足迹更大更昂贵的SO-8和TSSOP-8 包是不切实际。 应用 ?负荷开关 ?电池保护 ?电源管理 特点 ?低栅极电荷 ?快速开关速度。 ?高性能沟道技术极低的RDS(ON) ?超级SOTTM-6封装
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 相关型号列表

型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
FDC6506P 606 FAIRCHILD 05+ SOT-163/SOT23-6/SSOT-6 3200 场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET 双P沟道MOSFET Dual P-Channel 查看
FDC653N 653K FAIRCHILD 05NOPB SOT-163/SOT23-6 30000 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看
FDC653N 653 FAIRCHILD 05+NOPB161K SOT-163/SOT23-6 207350 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看
FDC654P 654 FAIRCHILD 05+ SOT-163/SOT23-6 12000 场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel 查看
FDC654P 654 FAIRCHILD 05+NOPB2500 SOT-163/SOT23-6 6600 场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel 查看
FDC655AN 55A FAIRCHILD 07NOPB SOT-163/SOT23-6 3000 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看
FDC655AN 55A FAIRCHILD 07+NOPB SOT-163/SOT23-6 2500 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看
FDC658P 658 FAIRCHILD 05+ SOT-163/SOT23-6 2500 场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel 查看
FDC658P 658 FAIRCHILD 05+ SOT-163/SOT23-6 6000 场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel 查看

 

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