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FDC638P
 型号：  FDC638P
 标记/丝印/代码/打字：  638
 厂家：  FAIRCHILD
 封装：  SOT-163/SOT23-6
 批号：  06NOPB
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel
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FDC638P 638 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 8V
最大漏极电流Id Drain Current -2.8A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 0.11Ω @-2.8A,-4.5V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage -0.4--1V
耗散功率Pd Power Dissipation 1.6W
Description & Applications TM-6 package design using copper lead frame for superior thermal and electrical capabilities. High density cell design for extremely low RDS(ON) Exceptional on-resistance and maximum DC current capability
描述与应用 TM-6包装设计采用铜引线框架的 卓越的热性能和电气性能。 高密度电池设计极低的RDS（ON） 卓越的导通电阻和最大DC电流能力
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