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FDC637AN
 型号：  FDC637AN
 标记/丝印/代码/打字：  637
 厂家：  FAIRCHILD
 封装：  SOT-163/SOT23-6
 批号：  05+
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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FDC637AN 637 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 8V
最大漏极电流Id Drain Current 6.2A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 32m?@ VGS = 2.5V, ID =5.2A
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 0.4~1.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 1.6W
Description & Applications Single N-Channel, 2.5V Specified Power Trench MOSFET General Description This N-Channel 2.5V specified MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor's advanced Power Trench process that has been especially tailored to minimize on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. These devices have been designed to offer exceptional power dissipation in a very small footprint compared with bigger SO-8 and TSSOP-8 packages. Applications ? DC/DC converter ? Load switch ? Battery Protection Features ? Fast switching speed. ? Low gate charge. ? High performance trench technology for extremely low RDS(ON) ? Super SOT TM-6 package
描述与应用 单N沟道，2.5V额定功率沟槽MOSFET 概述 此N沟道2.5V指定的MOSFET的生产采用飞兆半导体先进的功率沟槽进程，已特别是针对减少通态电阻，但维持出色的开关性能低栅极电荷。 这些设备已设计提供特殊功耗在一个非常小的空间，更大的SO-8和TSSOP-8封装相比。 应用 ?DC/ DC转换器 ?负荷开关 ?电池保护 特点 ?快速开关速度。 ?低栅极电荷。 ?高性能沟道技术极低的RDS（ON） ?超级SOT TM-6封装
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