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FDC6312P
 型号：  FDC6312P
 标记/丝印/代码/打字：  312
 厂家：  FAIRCHILD
 封装：  SOT-163/SOT23-6/SSOT-6
 批号：  05+
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  复合场效应管Complex FET
    MOSFET 双P沟道MOSFET Dual P-Channel
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FDC6312P 312 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage -8V
最大漏极电流Id Drain Current -2.3A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 225m?@ VGS = -1.8V, ID = -1.5A
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage -0.4~-1.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 960mW/0.96W
Description & Applications Dual P-Channel 1.8V PowerTrench Specified MOSFET General Description These P-Channel 1.8V specified MOSFETs are produced using Fairchild Semiconductor's advanced Power Trench process that has been especially tailored to minimize on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. Applications ? Power management ? Load switch Features ? High performance trench technology for extremely low RDS(ON) ? Super SOTTM -6 package: small footprint
描述与应用 双P沟道1.8V指定的PowerTrench MOSFET 概述 这些P沟道1.8V指定MOSFET采用飞兆半导体先进的功率沟槽进程，已特别定制生产 尽量减少对通态电阻和出色的开关性能但为保持低栅极电荷。 应用 ?电源管理 ?负荷开关 特点 ?高性能沟道技术极低的RDS（ON） ?超级SOTTM-6包装：占地面积小
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