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FC18H
 型号:  FC18H
 标记/丝印/代码/打字:  18H
 厂家:  SANYO
 封装:  SOT-153/CP5/SOT23-5
 批号:  05+
 库存数量:  2000
 所属分类:  场效应管FET
  复合场效应管Complex FET
    FET+BJT
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FC18H 18H 的参数

FET类型 Type JFET N-Channel
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 15V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage -15V
最大漏极电流Id Drain Current 50mA
源漏极导通电阻Rds(on) Drain-Source On-State Resistance
跨导 Forward Transfer Admittance 38ms@VDS=5V,VGS=0V,f=1kHz
IDSS(Vgs=0V) 16mA~32mA
开启电压Vgs(th)/关断电压Vgs(off) Gate-Source Threshold/Cut-off Voltage -0.3V~-1.5V
BJT 类型 Type NPN
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 55V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 50V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 150mA/0.15A
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 200MHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 135~400
耗散功率Pd Power Dissipation 500mW/0.5W
Description & Applications TR:NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor FET:N-Channel Junction Silicon Transistor High-Frequency Amp, AM Applications, Low-Frequency Amp Features Features · Composed of 2 chips · Drain and emitter are shared
描述与应用 TR:NPN平面外延硅晶体管 场效应管:N-沟道结硅晶体管 高频放大器,AM应用, 低频放大器 特点 特点 ·由2芯片所组成 ·汲极和发射极共享
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