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FC139
 型号：  FC139
 标记/丝印/代码/打字：  139
 厂家：  SANYO
 封装：  SOT-163/CPH6
 批号：  05+
 库存数量：  500
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  复合三极管Complex Bipolar Transistor
    NPN+NPN
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FC139 139 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 60V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 50V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 100mA
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 200MHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 800~3200
管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage 100mV
耗散功率Pc Power Dissipation 300mW
Description & Applications Features ? NPN Epitaxial Planar Silicon Composite Transistor ? Low-Frequency General-Purpose Amp,General Driver Applications ? Composite type with 2 transistors contained in the CP package currently in use, improving the mounting efficiency greatly. ? The FC139 is formed with two chips, being equivalent to the 2SC3689, placed in one package. ? Adoption of FBET process. ? High DC current gain (hFE=800 to 3200). ? High VEBO (VEBO≥15V) ? Excellent in thermal equilibrium and pair capability
描述与应用 特点 ?NPN平面外延硅复合晶体管 ?低频通用放大器，一般驱动器应用 ?复合型中包含2个晶体管CP包装目前在使用，大大提高了安装效率。 ?FC139两个芯片组成，即相当于2SC3689，放置在一个包装。 ?通过过程FBET。 ?高直流电流增益（HFE=800?3200）。 ?高VEBO（VEBO≥15V） ?优秀的热平衡和对能力
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