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F5019-S-TE24R
 型号:  F5019-S-TE24R
 标记/丝印/代码/打字:  F5019
 厂家:  FUJI
 封装:  TO-263
 批号:  05+
 库存数量:  1050
 所属分类:  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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F5019-S-TE24R F5019 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 40V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage -0.3V~7V
最大漏极电流Id Drain Current 12A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 140mΩ @ID=5A, VGS=5V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage 1.0V~2.8V
耗散功率Pd Power Dissipation 30W
Description & Applications
描述与应用
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