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F5019-S-TE24R F5019 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
40V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
-0.3V~7V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
12A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
140mΩ @ID=5A, VGS=5V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
1.0V~2.8V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
30W |
| Description & Applications |
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| 描述与应用 |
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| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
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相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| F5019-S-TE24R |
F5019 |
FUJI |
05+ |
TO-263 |
1050 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
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