EMX1 X1 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
60V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
50V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
150mA |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
180MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
120~560 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
400mV |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
150mW |
| Description & Applications |
Features ? General purpose (dual transistors) ? Mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3 automatic mounting machines. ? Transistor elements are independent, eliminating interference. ? Mounting cost and area can be cut in half. |
| 描述与应用 |
特点 ?通用（双晶体管） ?安装可能与EMT3或UMT3或SMT3自动安装机器。 ?晶体管元素是独立的，消除干扰。 ?安装成本和面积可减少一半。 |
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