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EM6K1
 型号：  EM6K1
 标记/丝印/代码/打字：  K1
 厂家：  ROHM
 封装：  SOT-563/EMT6
 批号：  04+
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  复合场效应管Complex FET
    MOSFET 双N沟道MOSFET Dual N-Channel
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EM6K1 K1 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current 100mA/0.1A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 13?@ VGS = 2.5V, ID = 1mA
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 0.8~1.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 150mW/0.15W
Description & Applications N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications Features 1) Two 2SK3019 transistors in a single EMT package. 2) The MOSFET elements are independent, eliminating interference. 3) Mounting cost and area can be cut in half. 4) Low on-resistance. 5) Low voltage drive (2.5V) makes this device ideal for portable equipment Applications Interfacing, switching (30V, 100mA)
描述与应用 N-沟道硅MOSFET 通用开关设备应用 特点 1）两个2SK3019 EMT包装在一个单一的晶体管。 2）MOSFET的元素是独立的，消除干扰。 3）安装成本和面积可减少一半。 4）低导通电阻。 5）低电压驱动（2.5V）使该器件理想用于便携式设备 应用 接口，开关（30V，100mA的）
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