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EC4304C
 型号:  EC4304C
 标记/丝印/代码/打字:  V
 厂家:  SANYO
 封装:  ECSP1008-4
 批号:  05+
 库存数量:  6000
 所属分类:  场效应管FET
  MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel
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EC4304C V 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 10V
最大漏极电流Id Drain Current -0.25A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 1.5Ω @-120mA,-4V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage -0.4--1.4V
耗散功率Pd Power Dissipation 150mW/0.15W
Description & Applications ? Low ON-resistance. ? High-speed switching. ? 2.5V drive. ? High resistance to damage from ESD (typ 300V) [with a protection diode connected between the gate and source].
描述与应用 ?低导通电阻。 ?高速开关。 ?2.5V驱动。 ?高抗ESD损害(典型值300V)保护二极管之间连接的栅极和源]
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型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
EC4304C V SANYO 05+ ECSP1008-4 6000 场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel 查看
EC4H07C P SANYO 05+ ECSP1008-4 10000 三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)-NPN 查看
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EC4K11MF-BY-TR SANYO 06 ECSP1410-4-F 8000 集成电路ICIntegrated Circuit(IC)-其它Other 查看

 

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