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DTB513ZM
 型号：  DTB513ZM
 标记/丝印/代码/打字：  Y11
 厂家：  ROHM
 封装：  sot-723/VMT3
 批号：  05+NOPB
 库存数量：  14500
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  带阻尼PNPPNP Bipolar Digital Transistor (BRT)
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DTB513ZM Y11 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) -50V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) -12V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) -500mA/0.5A
基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) 1KΩ/Ohm
基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) 10KΩ/Ohm
电阻比(R1/R2) Resistance Ratio 0.1
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 260MHz
耗散功率Pc Power Dissipation 0.15W/150mW
Description & Applications Features ?-500mA / -12V Low VCE (sat) Digital transistors (with built-in resistors) ?VCE (sat) is lower than conventional products. ?Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit). ?The bias resistors consist of thin-film resistors with complete isolation to allow positive biasing of the input. They also have the advantage of almost completely eliminating parasitic effects. ?Only the on / off conditions need to be set for operation, making the device design easy.
描述与应用 特点 ?500毫安/-12V低VCE（sat）的数字晶体管（内置电阻）VCE（sat）的是比传统产品低。 ?内置启用偏置电阻器的配置，逆变电路没有连接外部输入电阻（见等效电路）。 ?偏置电阻组成的薄膜电阻完全隔离，允许正面偏置输入。他们也有优势，几乎完全消除了寄生效应。 ?只有开/关条件需要设置操作，使装置的设计容易。
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