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DTA114GKA
 型号：  DTA114GKA
 标记/丝印/代码/打字：  K14
 厂家：  ROHM
 封装：  SOT-23/SC-59/SMT3
 批号：  05+
 库存数量：  0
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  带阻尼PNPPNP Bipolar Digital Transistor (BRT)
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DTA114GKA K14 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) -50V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) -50V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) -100mA/-0.1A
基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) 10KΩ/Ohm
基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)
电阻比(R1/R2) Resistance Ratio
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 30
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 250MHz
耗散功率Pc Power Dissipation 0.2W/200mW
Description & Applications Feature ?Digital transistors (built-in resistor) ?The built-in bias resistors consist of thin-film resistors with complete isolation to allow positive biasing of the input, and parasitic effects are almost completely eliminated. ?Only the on / off conditions need to be set for operation, making device design easy. ? Higher mounting densities can be achieved.
描述与应用 特点 ?数字晶体管（内置电阻） ?内置的偏置电阻组成的薄膜电阻完全隔离，允许输入的正偏压，寄生效应几乎完全消除。 ?只有开/关条件需要设置操作，使装置的设计容易。 ?高密度安装就可以实现。
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