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DMN601K-7
 型号：  DMN601K-7
 标记/丝印/代码/打字：  K7K
 厂家：  DIODES
 封装：  SOT-23/SC-59
 批号：  11+NOPB
 库存数量：  9360
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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DMN601K-7 K7K 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20v
最大漏极电流Id Drain Current 300mA/0.3A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 2.9Ω/Ohm @500mA,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 1.0-2.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 350mW/0.35W
Description & Applications · Low On-Resistance: RDS(ON) · Low Gate Threshold Voltage · Low Input Capacitance · Fast Switching Speed · Low Input/Output Leakage · Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 2) · ESD Protected Up To 2kV · "Green" Device (Note 4)
描述与应用 ·低导通电阻RDS（ON） ·低栅极阈值电压 ·低输入电容 ·开关速度快 ·低输入/输出漏 ·无铅设计/ RoHS规定（注2） ·ESD保护高达2kV ·“绿色”设备（注4）
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