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CPH6702
 型号：  CPH6702
 标记/丝印/代码/打字：  PB
 厂家：  SANYO
 封装：  SOT-163/CPH6
 批号：  06+ROHS6KM
 库存数量：  7400
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  复合三极管Complex Bipolar Transistor
    PNP+PNP
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CPH6702 PB 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) -15V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) -15V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) -1.5A
Q1基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) 350MHz
Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) 200~560
Q1电阻比(R1/R2) Q1 Resistance Ratio -120mV
Q2基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) 1300mW
Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) Features ? PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor ? DC/DC Converter Applications ? Composite type with a PNP transistor and a Schottky barrier diode contained in one package facilitating high-density mounting. ? The CPH6702 consists of two chips which are equivalent to the CPH3114 and the SBS006, respectively. ? Ultrasmall-sized package permitting applied sets to be made small and slim (mounting height 0.9mm).
Q2电阻比(R1/R2) Q2 Resistance Ratio 特点 ?PNP平面外延硅晶体管 ?DC / DC转换器应用 ?复合型与PNP晶体管和肖特基包含在一个包装促进垒二极管高密度安装。 ?CPH6702由两个芯片相当于CPH3114和SBS006，分别为。 ?超小尺寸封装，允许应用套和苗条的小（安装高度0.9毫米）
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)
截止频率fT Transtion Frequency(fT)
耗散功率Pc Power Dissipation
Description & Applications
描述与应用
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