CPH6332 YJ 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
10V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-6A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance |
88m?@ VGS = -1.8V, ID = -0.6A |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-0.4~-1.4V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
1.6W |
| Description & Applications |
P-Channel MOS Silicon FET General purpose switching device applications Features ? Low ON-resistance. ? High-speed switching. ? 1.8V drive. |
| 描述与应用 |
P沟道MOS硅FET 通用开关设备应用程序 特点 ?低导通电阻。 ?高速开关。 ?1.8V驱动。 |
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