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CPH6314
 型号：  CPH6314
 标记/丝印/代码/打字：  JQ
 厂家：  SANYO
 封装：  SOT-163/SOT23-6/CPH6
 批号：  05+
 库存数量：  2000
 所属分类：  场效应管FET
  复合场效应管Complex FET
    MOSFET 双P沟道MOSFET Dual P-Channel
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CPH6314 JQ 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 10V
最大漏极电流Id Drain Current -4A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 147m?@ VGS = -4V, ID = -1A
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage -1.2~-2.6V
耗散功率Pd Power Dissipation 1.6W
Description & Applications P-Channel MOS Silicon FET High-Speed Switching Applications Features ? Low ON-resistance. ? High-speed switching. ? 4V drive.
描述与应用 P沟道MOS硅FET 高速开关应用 特点 ?低导通电阻。 ?高速开关。 ?4V驱动器。
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 相关型号列表
型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
CPH6311 JM SANYO 05+ SOT-163/SOT23-6/CPH6 23000 场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET 双P沟道MOSFET Dual P-Channel 查看
CPH6311 JM SANYO 05+NOPB SOT-163/SOT23-6/CPH6 10000 场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET 双P沟道MOSFET Dual P-Channel 查看
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CPH6313 1P SANYO 03+ROHS SOT-163/SOT23-6/CPH6 3000 场效应管FET 查看

　
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