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CLY10
 型号：  CLY10
 标记/丝印/代码/打字：  CLY10
 厂家：  SIEMENS
 封装：  SOT-223
 批号：  04+
 库存数量：  386
 所属分类：  场效应管FET
  MESFET-N沟道MESFET N-Channel
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CLY10 CLY10 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 9V
栅源极击穿电压V(BR)GS Gate-Source Voltage -6V
漏极电流(Vgs=0V)IDSS Drain Current 1.2A-2.4A
关断电压Vgs(off) Gate-Source Cut-off Voltage -2.8V
耗散功率Pd Power Dissipation 3.5W
Description & Applications GaAs FET. * Power amplifier for mobile phones * For frequencies from 400 MHz to 2.5 GHz * Wide operating voltage range: 2.7 to 6 V * POUT at VD=3V, f=1.8GHz 28.5 dBm typ. * High efficiency better 55 %
描述与应用 砷化镓场效应管. 用于移动电话的电源放大器, 使用频率从400 MHz至2.5 GHz ,宽工作电压范围：2.7至6 V 高效率，高于55％.
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