BZM55B3V6-TR 的参数 |
| 额定齐纳电压Vz(V)Zener Voltage 最小
min. |
3.52V |
| 平均
Typ. |
3.6V |
| 最大
max. |
3.68V |
| 误差
Tolerance |
2% |
| 最大齐纳阻抗Zz(Ω)
Dynamic Impedance |
90Ω/ohm |
| 最大反向漏电流IR(uA)
Reverse Current |
40uA |
| 最大耗散功率Pd
Power dissipation |
500mW/0.5W |
| Description & Applications |
Silicon Epitaxial Planar Z–Diodes Very sharp reverse characteristic Low reverse current level Very high stability Low noise |
| 描述与应用 |
硅外延平面Z-二极管 低反向电流水平 高的稳定性 低噪音 |
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