BST120 LM 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-60V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-0.3A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
6Ω @-200mA,-10V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-1.5--3.5V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
1W |
| Description & Applications |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL D-MOS TRANSISTOR very low Ron direct interface to C-MOS high-speed switching no second breakdown |
| 描述与应用 |
P-沟道增强型垂直D-MOS晶体管 非常低罗恩 C-MOS直接接口 高速开关 无二次击穿 |
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