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BSS123 SA 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
100V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
100V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
170mA/0.17A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
3.4Ω/Ohm @1.7A,10V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
0.8-1.2V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
360mW/0.36W |
| Description & Applications |
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor BSS100: 0.22A, 100V. RDS(ON)= 6W @ VGS = 10V. BSS123: 0.17A, 100V. RDS(ON)= 6W @ VGS = 10V High density cell design for extremely low RDS(ON) Voltage controlled small signal switch. Rugged and reliable. |
| 描述与应用 |
N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 BSS100：0.22A，100V。RDS（ON）=6W@ VGS= 10V。 BSS123：0.17A，100V。 RDS（ON）=6W@ VGS= 10V 高密度电池设计极低的RDS（ON） 电压控制小信号开关。 坚固,可靠 |
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在线阅读  |
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相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| BSS123 |
SA |
INFINEON |
04+ |
SOT-23/SC-59 |
900 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| BSS123 |
SA |
ON |
05+NOPB20 |
SOT-23/SC-59 |
500 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| BSS123 |
SA |
NXP/PHILIPS |
05+ |
SOT-23/SC-59 |
1200 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| BSS123 |
SA |
FAIRCHILD |
05+NOPB |
SOT-23/SC-59 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| BSS123 |
SA |
FAIRCHILD |
05+NOPB |
SOT-23/SC-59 |
1640 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| BSS123-7-F |
K23 |
DIODES |
06NOPB |
SOT-23/SC-59 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| BSS123LT1 |
SA |
ON |
10NOPB |
SOT-23/SC-59 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| BSS123TA |
SA |
ZETEX |
03+ |
SOT-23/SC-59 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| BSS123 |
SA |
SIEMENS |
05+ |
SOT-23/SC-59 |
1200 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| BSS123TA |
SA |
ZETEX |
05+ |
SOT-23 |
6000 |
未分类 |
查看 |
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