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BSP225
 型号:  BSP225
 标记/丝印/代码/打字:  BSP225
 厂家:  NXP/PHILIPS
 封装:  SOT-223
 批号:  05+
 库存数量:  0
 所属分类:  场效应管FET
  MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel
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BSP225 BSP225 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -250V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current -0.225A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 10Ω @-200mA,-10V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage -0.8--2.8V
耗散功率Pd Power Dissipation 1.5W
Description & Applications FEATURES ? Very low RDS(on) ? Direct interface to C-MOS, TTL, ? High-speed switching ? No secondary breakdown
描述与应用 ?非常低的RDS(on) ?直接连接C-MOS,TTL, ?高速开关 ?无二次击穿
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