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BSA223SP
 型号：  BSA223SP
 标记/丝印/代码/打字：  BP
 厂家：  INFINEON
 封装：  SOT-523
 批号：  04+NOPB
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel
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BSA223SP BP 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 10V
最大漏极电流Id Drain Current -1.5A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 0.13Ω @-1.5A,-4.5V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage -0.45--1V
耗散功率Pd Power Dissipation 830mW/0.83W
Description & Applications 20V/-1.5A , RDS(ON)=130m?(typ.) @ VGS=-4.5V RDS(ON)=170m?(typ.) @ VGS=-2.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Lead Free Available (RoHS Compliant)
描述与应用 RDS（ON）=130mΩ（典型值）@ VGS=-4.5V RDS（ON）=170mΩ（典型值）@ VGS=-2.5V 超级高密度电池设计 可靠耐用 对无铅要求的可用（RoHS标准）
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