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型号： |
BR93L46RFVM-WTR |
| 标记/丝印/代码/打字： |
CE |
| 厂家： |
ROHM |
| 封装： |
MSOP8 |
| 批号： |
05+ |
| 库存数量： |
0 |
| 所属分类： |
集成电路ICIntegrated Circuit（IC）
存储器Memory |
| 技术文档PDF： |
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BR93L46RFVM-WTR CE 的参数 |
| 存储器格式
Format - Memory |
EEPROMs - 串行 EEPROMs - Serial |
| 存储器类型
Memory Type |
EEPROM |
| 存储容量
Memory Size |
1K (64 x 16) |
| 速度
Speed |
2MHz |
| 接口
Interface |
Microwire 3 线串行 Microwire, 3-Wire Serial |
| 电源电压
Voltage - Supply |
1.8 V ~ 5.5 V |
| Description & Applications |
High Reliability Series EEPROMs Microwire BUS Description BR93L□□-W Series, BR93A□□-WM Series are serial EEPROM of serial 3-line interface method Features 1) 3-line communications of chip select, serial clock, serial data input / output (the case where input and output are shared) 2) Actions available at high speed 2MHz clock（2.5~5.5V） 3) Speed write available (write time 5ms max.） 4) Same package and pin layout from 1Kbit to 16Kbit 5) 1.8~5.5V (BR93L□□-W Series), 2.5～5.5V(BR93A□□-WM Series) single power source action 6) Highly reliable connection by Au pad and Au wire 7) Address auto increment function at read action 8) Write mistake prevention function Write prohibition at power on Write prohibition by command code Write mistake prevention function at low voltage 9) Program cycle auto delete and auto end function 10) Program condition display by READY / BUSY 11) Low current consumption At write action (at 5V) : 1.2mA (Typ.) At read action (at 5V) : 0.3mA (Typ.) At standby action (at 5V) : 0.1μA (Typ.)(CMOS input) 12) TTL compatible( input / output s) 13) Compact package SOP8/SOP-J8/SSOP-B8/TSSOP-B8/MSOP8/TSSOP-B8J 14) Data retention for 40 years 15) Data rewrite up to 1,000,000 times 16) Data at shipment all addresses FFFFh |
| 描述与应用 |
高可靠性系列 微丝EEPROMS总线 描述 BR93L□□-W系列，BR93A□□-WM系列串行EEPROM的3线串行接口方法 1）3 - 线通信的片选，串行时钟，串行数据输入/输出（输入和输出是共享的情况下） 2）操作提供高速2MHz时钟（2.5?5.5V） 3）速度写（写时间5ms最大。） 4）相同的封装和引脚布局从1KBIT到16KBIT 5）1.8?5.5V（BR93L□□-W系列），2.5?5.5V（BR93A□□-WM系列）单电源行动 6）高度可靠的连接凹垫和金线 7）地址自动增量功能在读行动 8）写入错误预防功能 禁止在电源 写禁止命令代码 写在低电压错误防止功能 9）程序循环自动删除和自动结束功能 10）程序状态显示READY/ BUSY 11）低电流消耗 在写操作（5V）：1.2毫安（典型值） 在读操作（5V）：0.3毫安（典型值） 在待机动作（5V）：0.1μA（典型值）（CMOS输入） 12）TTL兼容（输入/输出s） 13）小型封装SOP8/SOP-J8/SSOP-B8/TSSOP-B8/MSOP8/TSSOP-B8J 14）数据保留40年 15）数据重写百万倍 16）在出厂时，所有数据地址FFFFH |
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相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| BR93L46RFVM-WTR |
R46 |
ROHM |
05+NOPB2790 |
MSOP8 |
9064 |
集成电路ICIntegrated Circuit（IC）-存储器Memory |
查看 |
| BR93L46RFVM-WTR |
CE |
ROHM |
05+ |
MSOP8 |
0 |
集成电路ICIntegrated Circuit（IC）-存储器Memory |
查看 |
| BR93L56RFVM-WTR |
R56 |
ROHM |
04+ |
MSOP8 |
7000 |
集成电路ICIntegrated Circuit（IC）-存储器Memory |
查看 |
| BR93L66RF-WE2 |
RL66 |
ROHM |
05+NOPB100 |
so8 |
150 |
集成电路ICIntegrated Circuit（IC）-存储器Memory |
查看 |
| BR93LC46FV-E2 |
LC46 |
ROHM |
05+ |
MSOP8 |
100 |
集成电路ICIntegrated Circuit（IC）-存储器Memory |
查看 |
| BR93LC46RFJ-WNF |
L46R |
ROHM |
05+ |
MSOP8 |
50 |
集成电路ICIntegrated Circuit（IC）-存储器Memory |
查看 |
| BR93L56RFVM-WTR |
R56 |
ROHM |
04+ |
MSOP8 |
0 |
集成电路ICIntegrated Circuit（IC）-存储器Memory |
查看 |
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