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BLT50
 型号：  BLT50
 标记/丝印/代码/打字：  BLT50
 厂家：  NXP/PHILIPS
 封装：  SOT-223/SC-73
 批号：  04+
 库存数量：  171
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  NPN
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BLT50 BLT50 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 20V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 10V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 500mA/0.5A
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 470MHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 25
管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage 7.5V
耗散功率Pc Power Dissipation 2W
Description & Applications UHF power transistor FEATURES SMD encapsulation Gold metallization ensures excellent reliability. DESCRIPTION NPN silicon planar epitaxial transistor encapsulated in a SOT223 surface mounted envelope and designed primarily for use in hand-held radio equipment in the 470 MHz communications band.
描述与应用 UHF功率晶体管 特点 SMD封装 镀金确保 出色的可靠性。 说明 NPN硅平面外延晶体管封装在一个SOT223表面安装的信封和设计主要用于手持式无线电设备在470 MHz的通信频段。
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