BFQ149 FG 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
?20V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
?15V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
?100mA/-0.1A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
5GHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
50 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
|
| 耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
1W |
| Description & Applications |
PNP 5 GHz wideband transistor FEATURES ? High output voltage capability ? High gain bandwidth product ? Good thermal stability ? Gold metallization ensures excellent reliability |
| 描述与应用 |
PNP5 GHz的宽带晶体管 特点 ?高输出电压能力 ?高增益带宽积 ?良好的热稳定性 ?黄金金属确保卓越的可靠性 |
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