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BF996S
 型号：  BF996S
 标记/丝印/代码/打字：  MH
 厂家：  NXP/PHILIPS
 封装：  SOT-143
 批号：  05+
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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BF996S MH 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage
最大漏极电流Id Drain Current 30mA
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 2.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 200mW/0.2W
Description & Applications N-channel dual-gate MOS-FET DESCRIPTION Depletion type field-effect transistor in a plastic SOT143 microminiature package with interconnected source and substrate. FEATURES ? Protected against excessive input voltage surges by integrated back-to-back diodes between gates and source. APPLICATIONS ? RF applications such as: – UHF television tuners – Professional communication equipment. DESCRIPTION Depletion type field-effect transistor in a plastic SOT143 microminiature package with interconnected source and substrate.
描述与应用 N沟道双栅MOS-FET 说明 耗尽型场效应晶体管在一个塑料SOT143 超小型封装与互连源 和衬底 特点 ?防止过高的输入电压浪涌门和源之间的集成-to-back二极管。 应用 ?射频应用，如： - UHF电视调谐器 - 专业的通信设备。 说明 SOT143超小型封装在一个塑料带相互连接的源极和衬底的耗尽型场效应晶体管。
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