BF994SR ML 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
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| 最大漏极电流Id
Drain Current |
30mA |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
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| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
2.5V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
200mW/0.2W |
| Description & Applications |
Silicon N Channel MOSFET Tetrode For VHF applications, especially for input and mixer stages with a wide tuning range. |
| 描述与应用 |
硅N沟道MOSFET四极管 对于甚高频（VHF）的应用程序，特别是对于具有宽调谐范围的输入和混频器的阶段。 |
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