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BF904R
 型号：  BF904R
 标记/丝印/代码/打字：  M06
 厂家：  NXP/PHILIPS
 封装：  SOT-143
 批号：  06+ROHS
 库存数量：  905
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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BF904R M06 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 7V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage
最大漏极电流Id Drain Current 30mA
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 0.3~1.2V
耗散功率Pd Power Dissipation 200mW/0.2W
Description & Applications N-channel dual gate MOS-FETs VHF and UHF applications with 3 to 7 V supply voltage such as television tuners and professional communications equipment. FEATURES ? Specially designed for use at 5 V supply voltage ? Short channel transistor with high transfer admittance to input capacitance ratio ? Low noise gain controlled amplifier up to 1 GHz ? Superior cross-modulation performance during AGC. APPLICATIONS ? VHF and UHF applications with 3 to 7 V supply voltage such as television tuners and professional communications equipment. DESCRIPTION Enhancement type field-effect transistor in a plastic microminiature SOT143B and SOT143R package. The transistor consists of an amplifier MOS-FET with source.
描述与应用 N沟道双栅MOS场效应管 VHF和UHF的应用3到7 V电源电压 诸如电视调谐器和专业的通信设备 特点 ?专为使用5 V电源电压 ?短沟道晶体管的输入电容比具有高传输导纳 ?低噪声增益控制放大器高达1 GHz ?高级交叉调制性能在AGC。 应用 ?VHF和UHF具有3至7 V电源电压，例如电视调谐器和专业的通信设备的应用程序。 说明 增强型场效应晶体管在一个塑料的超小型的SOT143B SOT143R包。该晶体管包括一个放大器的MOS-FET的源。
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