BF660W LE 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
?40V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
?30V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
?25mA |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
700MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
30 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
|
| 耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
280mW/0.28W |
| Description & Applications |
PNP Silicon RF Transistor ? For VHF oscillator applications |
| 描述与应用 |
PNP硅射频晶体管 ?对于VHF振荡器应用 |
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