BF545B 21W 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
30V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
30v |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
10mA |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
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| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-0.4--2.2 |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
250mW/0.25W |
| Description & Applications |
N-channel silicon junction field-effect transistors N-channel symmetrical silicon junction field-effect transistors in a SOT23 package. Features and benefits Low leakage level (typ. 500 fA) High gain Low cut-off voltage (max. 2.2 V for BF545A). |
| 描述与应用 |
硅N沟道结型场效应晶体管 对称N沟道硅结型场效应晶体管采用SOT23封装 低漏级（典型值500 FA） 高增益 低截止电压（最大2.2 V BF545A） |
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