BF1005R MZ 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
8V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
3V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
25mA |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
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| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
8-12/8-13V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
200mW/0.2W |
| Description & Applications |
Silicon N-Channel MOSFET Tetrode ? For low noise, high gain controlled input stages up to 1 GHz ? Operating voltage 5V ? Integrated biasing network |
| 描述与应用 |
硅N沟道MOSFET四极管 ?低噪声，高增益控制 高达1 GHz的输入级 ?工作电压5V ?集成偏置网络 |
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