BCV48 EE 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-80V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-EmitterVoltage(VCEO) |
-60V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
-500mA/-0.5A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
220MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
10000 @ -5V,-0.1A |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
-1V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
1.3W |
| Description & Applications |
? Very high DC current gain (min. 10000) ? High current (max. 500 mA) ? Low voltage (max. 60 V). ? Where very high amplification is required. ? PNP Darlington transistor in a SOT89 plast. ? NPN complements:BCV49. |
| 描述与应用 |
?极高的直流电流增益（最低10000） ?高电流（最大500毫安） ?低电压（最大60 V）。 ?非常高的放大是必需的。 ?PNP达林顿晶体管在SOT89 PLAST。 ?NPN补充BCV49。 |
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