BCP72M PA 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-10V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
-10V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
-3A |
| Q1基极输入电阻R1
Input Resistance(R1) |
100MHz |
| Q1基极-发射极输入电阻R2
Base-Emitter Resistance(R2) |
85~475 |
| Q1电阻比(R1/R2)
Q1 Resistance Ratio |
-150mV |
| Q2基极输入电阻R1
Input Resistance(R1) |
1700mW |
| Q2基极-发射极输入电阻R2
Base-Emitter Resistance(R2) |
Features ? PNP Silicon AF Power Transistor ? Drain switch for RF power amplifier stages ? For AF driver and output stages ? High collector current ? Low collector-emitter saturation voltage |
| Q2电阻比(R1/R2)
Q2 Resistance Ratio |
特点 ?PNP硅AF功率晶体管 ?排水开关射频功率放大器阶段 ?对于AF驱动器和输出级 ?高集电极电流 ?低集电极 - 发射极饱和电压 |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
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| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
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| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
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| Description & Applications |
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| 描述与应用 |
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