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BC859CW
 型号:  BC859CW
 标记/丝印/代码/打字:  4ct
 厂家:  NXP/PHILIPS
 封装:  SOT-323/SC-70
 批号:  10+ROHS
 库存数量:  0
 所属分类:  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  PNP
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BC859CW 4ct 的参数

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) ?30V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) ?30V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) ?100mA/-0.1A
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 100MHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 420~800
管压降VCE(sat) Collector-Emitter SaturationVoltage ?650mV/-0.65V
耗散功率Pc PoWer Dissipation 200mW/0.2W
Description & Applications PNP general purpose transistors FEATURES ? Low current (max. 100 mA) ? Low voltage (max. 45 V). APPLICATIONS ? Low noise stages in tape recorders, hi-fi amplifiers and other audio-frequency equipment.
描述与应用 PNP通用晶体管 特点 ?低电流(最大100 mA) ?低电压(最大45 V)。 应用 ?低噪音录音机,音响放大器和其他声频设备阶段。
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型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
BC858B G3K ROHM 05+ SOT-23 1000 标记 查看
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BC856BW 3B NXP/PHILIPS 07+ROHS6K SOT-323/SC-70 15500 三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)-PNP 查看
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