BB301MAW-TL AW 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
6V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
6V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
25mA |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
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| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
0.4-1.0V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
125mW/0.125W |
| Description & Applications |
Built in Biasing Circuit MOS FET IC VHF RF Amplifier Features ?Built in Biasing Circuit; To reduce using parts cost & PC board space. ?Low noise characteristics; (NF = 1.3 dB typ. at f = 200 MHz) ?Withstanding to ESD; Built in ESD absorbing diode. Withstand up to 200V at C=200pF, Rs=0 conditions. ?Provide mini mold packages; MPAK-4(SOT-143Rmod) |
| 描述与应用 |
内置偏置电路MOS FET的IC 甚高频射频放大器 ?内置偏置电路降低零部件的成本与PC板空间。 ?低噪音特点; （NF= 1.3 dB（典型值），在f=200兆赫） ?耐静电; 内置ESD吸收二极管。承受高达200V在C = 200pF，Rs = 0条件。 ?提供小型模具包; MPAK-4（SOT-143Rmod） |
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