BAT54WSPT 3JD 的参数 |
| 反向电压Vr
Reverse Voltage |
30V |
| 平均整流电流Io
AVerage Rectified Current |
200mA/0.2A |
| 最大正向压降VF
Forward Voltage(Vf) |
1V |
| 最大耗散功率Pd
Power dissipation |
200MW/0.2W |
| Description & Applications |
* Small surface mounting type. (SC-70/SOT-323) * High speed. (TRR=2.5nSec Typ.) * Suitable for high packing density. * Silicon epitaxial planar * Ultra high speed switching * Maximum total power disspation is 200mW. * Peak forward current is 300mA ? Schottky barrier diode in series. |
| 描述与应用 |
*小型表面贴装型。 （SC-70/SOT-323） *高速。 （TRR =2.5nSec典型值）。 *适用于高堆积密度。 *硅外延平面 *超高速开关 *最大总耗散功率为200mW。 *峰值正向电流为300mA ?串联的肖特基势垒二极管。 |
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