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BAS85-GS08 的参数 |
| 反向电压Vr
Reverse Voltage |
30V |
| 平均整流电流Io
AVerage Rectified Current |
200mA/0.2A |
| 最大正向压降VF
Forward Voltage(Vf) |
800mV/0.8V |
| 最大耗散功率Pd
Power dissipation |
200MW/0.2W |
| Description & Applications |
? This diode features low turn-on voltage ? The devices are protected by a PN junction guard ring against excessivevoltage, such as electrostatic discharges.Schottky Diodes. |
| 描述与应用 |
低导通电压二极管.受PN结保护，如静电放电.肖特基二极管。 |
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在线阅读  |
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相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| BAS85 |
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NXP/PHILIPS |
05+ |
SOD80/LL34 |
2500 |
二极管Diodes-肖特基势垒二极管SBDSchottky Barrier Diodes-单管Single |
查看 |
| BAS85 |
|
NXP/PHILIPS |
06NOPB2400 |
SOD80/LL34 |
8700 |
二极管Diodes-肖特基势垒二极管SBDSchottky Barrier Diodes-单管Single |
查看 |
| BAS85-07 |
|
FRANCE |
05+ |
SOD80/LL34 |
1400 |
二极管Diodes-肖特基势垒二极管SBDSchottky Barrier Diodes-单管Single |
查看 |
| BAS85-GS08 |
|
VISHAY |
05+ |
SOD80/LL34 |
2500 |
二极管Diodes-肖特基势垒二极管SBDSchottky Barrier Diodes-单管Single |
查看 |
| BAS85-GS08 |
|
VISHAY |
05+ |
SOD80/LL34 |
0 |
二极管Diodes-肖特基势垒二极管SBDSchottky Barrier Diodes-单管Single |
查看 |
| BAS85-07 |
|
FRANCE |
05+ |
SOD80/LL34 |
2500 |
二极管Diodes |
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