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AP2623Y
 型号：  AP2623Y
 标记/丝印/代码/打字：  Y7E1
 厂家：  富鼎
 封装：  SOT-163/SOT23-6/CPH6
 批号：  05+
 库存数量：  1400
 所属分类：  场效应管FET
  复合场效应管Complex FET
    MOSFET 双P沟道MOSFET Dual P-Channel
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AP2623Y Y7E1 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current -2A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 170m?@ VGS = -10V,ID = -2A
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage -1~-3V
耗散功率Pd Power Dissipation 1.2W
Description & Applications P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET Low Gate Charge Low On-resistance RDS(ON) Surface Mount Package Description Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance, extremely efficient and cost-effectiveness device.The SOT-26 package is universally used for all commercial-industrial applications.
描述与应用 P沟道增强型功率MOSFET 低栅极电荷 低导通电阻RDS（ON） 表面贴装封装 描述 先进的功率MOSFET采用先进的加工技术，以实现尽可能低的导通电阻，非常高效和成本效益装置。SOT-26封装普遍用于所有商业，工业应用。
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