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AP2302N
 型号：  AP2302N
 标记/丝印/代码/打字：  N2
 厂家：  富鼎
 封装：  SOT-23/SC-59
 批号：  05+
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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AP2302N N2 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 25V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current 2.7A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 0.117Ω/Ohm 2.5A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 1-3V
耗散功率Pd Power Dissipation 1.38W
Description & Applications Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination ofastswitching, low on-resistance and cost-effectiveness.
描述与应用 高级电源 N沟道增强模式 功率MOSFET 先进的功率MOSFET提供从APEC 设计师与快速切换的最佳组合， 低导通电阻和成本效益
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