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AP15N03H
 型号:  AP15N03H
 标记/丝印/代码/打字:  1503H
 厂家:  富鼎
 封装:  TO-252/D-PAK
 批号:  02+
 库存数量:  2670
 所属分类:  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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AP15N03H 1503H 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current 15A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 0.08Ω/Ohm @8A,10V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage 1-3V
耗散功率Pd Power Dissipation 28W
Description & Applications The TO-252 package is universally preferred for all commercialindustrial surface mount applications and suited for low voltage applications such as DC/DC converters. The through-hole version (AP15N03J) is available for low-profile applications.
描述与应用 该TO-252包装普遍首选的所有commercialindustrial表面贴装应用,适用于低电压 诸如DC/ DC转换器的应用程序。通孔版本AP15N03J)可用于低配置应用程序
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