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AO6800
 型号：  AO6800
 标记/丝印/代码/打字：  HO
 厂家：  AOS
 封装：  SOT-163/SOT23-6/TSOP6
 批号：  03+
 库存数量：  4000
 所属分类：  场效应管FET
  复合场效应管Complex FET
    MOSFET 双N沟道MOSFET Dual N-Channel
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AO6800 HO 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 12V
最大漏极电流Id Drain Current 3.4A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 88m?@ VGS = 2.5V,ID =2A
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 0.6~1.4V
耗散功率Pd Power Dissipation 1.15W
Description & Applications Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO6800 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications
描述与应用 双N沟道增强型场效应晶体管 概述 AO6800采用先进沟道技术，提供优良的RDS（ON），低栅极电荷和操作与栅极电压低至2.5V。这个装置是适合用于作为负载开关或PWM应用
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型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
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