关键字:

查询类型:型号  厂家  标记/丝印/代码  封装 

热门查询: R3111N401C NNCD5.1F 1117M3 GN01100B R1130H R1130 PT301 KTC811U KTC811U-GR FJX3013
  公司简介 经营品牌 产品搜索 在线商城 联系方式  
             

产品目录

 二极管Diodes (14263)
 三极管Bipolar Junction Transistors(BJT) (10359)
 场效应管FET (3756)
 电阻Resistor (4244)
 电源管理ICPower Management IC/PMIC (7296)
 集成电路ICIntegrated Circuit(IC) (3418)
 电感Inductor/Coil/Choke (5941)
 电容Capacitor (1614)
 磁珠Ferrite Bead (1041)
 晶振滤波Crystal Oscillator and Filter (1400)
 晶优晶振 (170)
 未分类 (1991)
 保险管FUSE (978)
 测试点Test Point (86)
 标记 (454)
 连接器 (39)
 可控硅/晶闸管Triac/Thyristor,SCR (226)
 衰减器Attenuator (19)
 晶振 (6)
 晶振滤波 (8)
 光电器件Optoelectronic (51)
 编码器Switch (61)
 极管Diodes (1)
 磁珠Ferrite (2)
 测试点 (3)
 片式天线 (14)
 集成电 (1)
 场效应管 (1)
 NATIONAL (1)
 电阻 (1)
 模块 (1)
 电源管理IC (1)
 三极管Bipolar Junction Transistors(BJT (2)
 三极管 (1)
  
AO6401
 型号:  AO6401
 标记/丝印/代码/打字:  D1
 厂家:  AOS
 封装:  SOT-163/SOT23-6/TSOP6
 批号:  05+
 库存数量:  500
 所属分类:  场效应管FET
  复合场效应管Complex FET
    MOSFET 双P沟道MOSFET Dual P-Channel
 技术文档PDF:  在线阅读
   
 在线购买  

AO6401 D1 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -30
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 12V
最大漏极电流Id Drain Current -5A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 81m?@ VGS = -2.5V,ID = -1A
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage -0.7~-1.3V
耗散功率Pd Power Dissipation 2W
Description & Applications P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO6401 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Standard Product AO6401 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO6401L is a Green Product ordering option. AO6401 and AO6401L are electrically identical.
描述与应用 P沟道增强型场效应晶体管 概述 AO6401采用先进沟道技术,提供优良的RDS(ON),低栅极电荷和操作与栅极电压低至2.5V。这个装置是适合用于作为负载开关或PWM应用。标准产品AO6401是无铅(符合ROHS&索尼259规格)。 AO6401L是一种绿色产品订购选项。 AO6401和AO6401L是电相同。
技术文档PDF下载 在线阅读

 

 相关型号列表

型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
AO6400 DO AOS 05+NOPB1K SOT-163/SOT23-6/TSOP6 1800 场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET 双N沟道MOSFET Dual N-Channel 查看
AO6401 D1 AOS 05+ SOT-163/SOT23-6/TSOP6 500 场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET 双P沟道MOSFET Dual P-Channel 查看
ao6401 d1 AOS 02+ SOT-163/SOT23-6/TSOP6 0 场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET 双P沟道MOSFET Dual P-Channel 查看
AO6402 D2ZD AOS 05/07NOPB SOT-23/SC-59 0 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看
AO6402 D2 AOS 11+nopb2400 SOT-23/SC-59 10300 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看
AO6405 D5 AOS 05+ SOT-163/SOT23-6/TSOP6 200 场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET 双P沟道MOSFET Dual P-Channel 查看
AO6408 D8R15 AOS 05+ SOT-163/SOT23-6/TSOP6 200 场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET 双N沟道MOSFET Dual N-Channel 查看

 

  公司简介 经营品牌 产品搜索 在线商城 联系方式  
             
             
深圳市新亚洲电子市场茂业电子商行
公司地址: 深圳市福田区中航路新亚洲电子商城1C035房 电话: 0755-88869068(4线)
企业QQ: 800036813 点击这里给我发消息 传真: 0755-61306100
电子邮箱:800036813@qq.com  


Copyright (c) 1995-2012  All rights reserved.   粤ICP备12037407号


营业执照