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AF2302NWLA
 型号：  AF2302NWLA
 标记/丝印/代码/打字：  026A
 厂家：  ANACHIP
 封装：  SOT-23/SC-59
 批号：  05+NOPB2200
 库存数量：  2955
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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AF2302NWLA 026A 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 8V
最大漏极电流Id Drain Current 10mA
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 0.65Ω/Ohm @3.6A,4.0V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 1.2V
耗散功率Pd Power Dissipation 150mW/0.15W
Description & Applications N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The advanced power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness. Features Simple Gate Drive 2KV ESD Rating (Per MIL-STD-883D) Small Package Outline (SOT323)
描述与应用 N沟道增强模式功率MOSFET 描述 先进的功率MOSFET提供设计师 快速切换的最佳组合，低 导通电阻和成本效益。 简单的栅极驱动器 2KV ESD额定值（每MIL-STD-883D） 小型封装（SOT323
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