74AUP1G00GM PA 的参数 |
| 逻辑类型
Logic Type |
与非门 NAND Gate |
| 电路数
Number of Circuits |
1 |
| 输入数
Number of Inputs |
2 |
| 电源电压Vcc
Voltage - Supply |
0.8V~3.6V |
| 静态电流Iq
Current - Quiescent (Max) |
1uA |
| 输出高，低电平电流
Current - Output High, Low |
-8mA，8mA |
| 低逻辑电平
Logic Level - Low |
0.7V~0.9V |
| 高逻辑电平
Logic Level - High |
1.6V~2V |
| 传播延迟时间@Vcc，CL
Max Propagation Delay @ V, Max CL |
6.5ns @ 3V ~ 3.6V，30pF |
| Description & Applications |
Low-power 2-input NAND gate；FEATURES Wide supply voltage range from 0.8 V to 3.6 V High noise immunity Complies with JEDEC standards: JESD8-12 (0.8 V to 1.3 V) JESD8-11 (0.9 V to 1.65 V) JESD8-7 (1.2 V to 1.95 V) JESD8-5 (1.8 V to 2.7 V) JESD8-B (2.7 V to 3.6 V) ESD protection: HBM JESD22-A114-C Class 3A. Exceeds 5000 V MM JESD22-A115-A exceeds 200 V CDM JESD22-C101-C exceeds 1000 V Low static power consumption; ICC = 0.9 μA (maximum) Latch-up performance exceeds 100 mA per JESD 78 Class II Inputs accept voltages up to 3.6 V Low noise overshoot and undershoot < 10 % of VCC IOFF circuitry provides partial Power-down mode operation Multiple package options Speci?ed from ?40 °C to +85 °C and ?40 °C to +125 °C |
| 描述与应用 |
低功耗2输入与非门；特性 宽电源电压范围从0.8 V到3.6 V 高抗干扰 符合JEDEC标准： JESD8-12（0.8 V至1.3 V） JESD8-11（0.9 V至1.65 V） JESD8-7（1.2 V至1.95 V） JESD8-5（1.8 V到2.7 V） JESD8-B（2.7 V至3.6 V） ESD保护： HBM JESD22-A114-C3A级。超过5000 V MM JESD22-A115-A超过200 V CDM JESD22-C101-C超过1000 V 低静态功耗ICC=0.9μA（最大） 闭锁性能超过100 mA每JESD 78 II类 接受输入电压为3.6 V 低噪音冲和下冲
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