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5HN02M-TL
 型号：  5HN02M-TL
 标记/丝印/代码/打字：  YF
 厂家：  SANYO
 封装：  SOT-23/SC-59
 批号：  05+
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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5HN02M-TL YF 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 50V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current 200mA/0.2A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 1-2.4V
耗散功率Pd Power Dissipation 250mW/0.25W
Description & Applications N-channel Silicon MOSFET General -Purpose Switching Device Application Features ? Low ON-resistance. ? Ultrahigh-speed switching. ? 4V drive.
描述与应用 N沟道硅MOSFET 通用开关设备应用程序 ?低导通电阻。 ?超高速开关。 ?4V驱动器
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