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3SK319
 型号：  3SK319
 标记/丝印/代码/打字：  YB
 厂家：  HITACHI
 封装：  SOT-143/MPAK-4
 批号：  05+
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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3SK319 YB 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 6V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 6V
最大漏极电流Id Drain Current 20mA
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 6V
耗散功率Pd Power Dissipation 150mW/0.15W
Description & Applications Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET UHF RF Amplifier Features ?Low noise characteristics; (NF= 1.4 dB typ. at f= 900 MHz) ?Excellent cross modulation characteristics ?Capable low voltage operation;
描述与应用 硅N沟道双栅MOS FET UHF射频放大器 ?低噪音特点;（NF=1.4 dB（典型值），在f=900兆赫） ?优秀的交叉调制特性 ?低电压工作能力;
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