茂业电子---3SK223的库存详细介绍

型号：	3SK223
标记/丝印/代码/打字：	U91
厂家：	NEC
封装：	SOT-143
批号：	05+
库存数量：	6000
所属分类：	场效应管FET MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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3SK223 U91 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage	18V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage	8V
最大漏极电流Id Drain Current	25mA
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage	0-1V
耗散功率Pd Power Dissipation	200mW/0.2W
Description & Applications	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR RF AMPLIFIER FOR FM TUNER AND VHF TV TUNER N-CHANNEL Si DUAL GATE MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR 4 PINS MINI MOLD Features Silicon N-Channel Dual Gate MOS TYPE RF AMPLIFIER FOR FM TUNER AND VHF TV TUNER N-CHANNEL Si DUAL GATE MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR 4 PINS MINI MOLD The Characteristic of Cross-Modulation is good CM = 92 dBμ TYP. @ f = 200 MHz, GR = –30 dB Low Noise Figure: NF1 = 1.2 dB TYP. (f = 200 MHz) NF2 = 1.0 dB TYP. (f = 55 MHz) High Power Gain: GPS = 23 dB TYP. (f = 200 MHz) Enhancement Type Suitable for use as RF amplifier in FM tuner and VHF TV tuner Automatically Mounting: Embossed Type Taping Small Package: 4 Pins Mini Mold
描述与应用	MOS场效应晶体管 FM调谐器和VHF电视调谐器RF放大器硅N沟道双栅MOS场效应晶体管 4引脚MINI模具特性硅N沟道双栅MOS型 FM调谐器和甚高频电视调谐器RF放大器硅N沟道双栅MOS场效应晶体管 4引脚迷你模具交叉调制的特点是良好 CM= 92dBμ典型值。 @ F =200兆赫，GR=-30分贝低噪声系数：NF1=1.2 dB典型值。（六=200兆赫） NF2= 1.0 dB（典型值）。（六= 55兆赫）高功率增益：GPS=23 dB典型值。（六=200兆赫）增强型适合用作FM调谐器和VHF电视调谐器RF放大器自动安装：压花类型大坪小包装：4针脚小型模具
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